Galliumnitride E-HEMTs voor de volgende generatie power converters

Galliumnitride (GaN) gebaseerde power transistors kunnen zorgen voor een verbetering van de efficiëntie en het verminderen van ruimte op de pcb in de volgende generatie power applicaties. Guido Schott, Ecomal en Tony Astely, GaN Systems geven tijdens het Vermogenselektronica Event een overzicht van GaN E-HEMT -technologie en vergelijken dit met silicium gebaseerde componenten. De spreker staat ook stil bij de voordelen van deze technologie bij hoge schakelfrequenties (boven 1 MHz).  De spreker van FTCAP zoomt verder in op deze hoge schakelfrequenties.

Hoge schakelfrequenties die mogelijk zijn door de verkrijgbaarheid van nieuwe materialen als Sic en GaN en toegepast worden in IGBT modules kunnen zorgen voor een parastitic inductances (ESL). Om dit te voorkomen zijn er DC-Link capacitors ontwikkeld. Thomas Ebel van FTCAP bespreekt uitgebeid het nieuwe ontwerp en de voordelen van deze capacitors. Denk hierbij aan korte interne verbindingen, radial current flow to the capacitor windings, parallelle circuits, lage inductie bus bar systemen en nieuwe soorten output contact terminals.

Meld u aan voor een bezoek.