• Home
  • Programma
  • Nieuws
  • Registreren
  • Exposanten
  • Vereniging
    • Leden
    • Lid worden
    • Event 2017
    • Event 2016
    • Event 2015
    • Event 2014
      • Rondleiding
    • Partners
    • Contact
  • Locatie
  • Account
    • Login
  • Login
  • Instrumentengids

Power Electronics

Power Quality Monitoring, Power Conversion, Power Applications

Siliciumcarbide (SiC) biedt vernieuwingen in vermogenselektronica

28 mei, 2018 door FHI IE

Het vakgebied van vermogenselektronica bestrijkt een breed veld. Met alle ontwikkelingen op energiegebied is er zeker een grootste gemene deler: de efficiëntie van systemen verbeteren. Trends in de markt, zoals SiC en GaN, introduceren nieuwe complexiteiten voor de netwerken van de toekomst. Er ontstaan snellere schakelsnelheden om de passieve (inductie en capaciteit) componentafmetingen te reduceren. Dit vereist een grotere nauwkeurigheid in circuittiming, maar levert dus efficiëntie op. Sprekers van Tektronix en ROHM gaan in op de voordelen en uitdagingen van SiC.

In de presentatie van Andreas Vinci van Tektronix namens C.N. Rood wordt ingegaan op de uitdagingen. U moet rekening houden met een hogere gevoeligheid voor poortdrempelspanning en timing. U hebt ook een robuuster PCB-ontwerp nodig voor EMI / EMC-problemen als gevolg van hogere schakelfrequenties. Voordelen in efficiëntie zijn te realiseren, maar in het ontwerp moeten dergelijke zaken dan meegenomen worden.

Christian Felgemacher van ROHM gaat namens Rutronik in op de voordelen van SiC voor industriële hulpvoedingen. Alle industriële power converter-systemen hebben een extra voedingseenheid nodig om een laagspanningsbus te leveren voor het voeden van een breed scala aan systeemcomponenten, zoals controllers, poortaandrijvingen, sensoren en de koelventilatoren. Een flyback-omzetter wordt typisch gebruikt om deze geïsoleerde laagspanningsbus te voorzien van de AC- of DC-ingang met hoge spanning.

Met behulp van standaard siliciumapparaten hebben deze circuits een laag rendement of vereisen ze complexe ontwerpen. In de presentatie van ROHM zal worden besproken hoe deze problemen kunnen worden opgelost met behulp van een krachtige 1700V SiC MOSFET in combinatie met een speciaal gebouwde quasi-resonante besturings-IC om een eenvoudige en performante oplossing te realiseren.

Hier kunt u het volledige programma van het Power Electronics event bekijken. Op de site kunt u zich ook aanmelden voor een gratis bezoek <link naar de bezoekersregistratie>.

 

  • Twitter
  • LinkedIn
  • Facebook
  • Google

Categorie: Nieuws

Gerelateerd:

  • Forze Hydrogen Racing Team Delft...
  • Het ontwerp en de werkelijkheid:...
  • See What’s Been Hidden....
  • Op maat gemaakte componenten en...

FHI IE

Email: e.abraham@fhi.nl

Website: http://www.fhi.nl

Email nieuwsbrief

Laatste nieuws

  • GIGAVAC introduces unique GigaFuse design
  • Green power solutions for energy storage
  • Energieopslag biedt de eindgebruiker meer functionaliteit en flexibiliteit
  • EMP bescherming voor telefoonlijnen
  • Hoge betrouwbaarheid en kleine footprint AC/DC PCB convertors

Copyright © 2019 · Onderdeel van FHI ·